> > > > VLSI 2023 – новые подробности Intel 4, PowerVia и 3 нм Samsung

VLSI 2023 – новые подробности Intel 4, PowerVia и 3 нм Samsung

Опубликовано:

hardwareluxx news new11-16 июня в Киото (Япония) пройдет конференция Symposium on VLSI Technology & Circuits 2023, однако некоторые подробности докладов стали известны ранее.

Среди прочего, Intel покажет реализацию эффективных ядер на техпроцессе Intel 4 и подачей питания с обратной стороны кристалла (BPD – backside power delivery). Техпроцесс Intel 4 планируется использовать для вычислительных тайлов процессоров Meteor Lake, помимо прочего. BPD или PowerVia, как ее называет Intel, вторая интересная технология, которая обещает существенный прогресс в сфере полупроводников в ближайшие годы вместе с транзисторами GAA.

PowerVia – новый способ подачи питания на кристалл. До сих пор проводники данных и питания на кристалле располагались с одной стороны. Большое количество проводников с током в небольшом пространстве – вариант не лучший, поскольку возможны взаимные помехи и наводки на компоненты логики и металлические слои.

Современные чипы состоят из многих миллиардов транзисторов и более десятка металлических слоев, поэтому сложность очень высокая. Через PowerVia для подачи питания теперь можно воспользоваться обратной стороной кристалла. То есть логические элементы и интерконнект по-прежнему находятся с лицевой стороны чипа, а питание подается сзади. Проводники TSV, которые используются для PowerVia, в 500 раз меньше, чем TSV для корпусировки.

Samsung расскажет о техпроцессе SF3 (3 nm)

Для Samsung техпроцесс 4 нм (SF4) стал не самым успешным, популярности среди клиентов он не снискал. Новый SF3 должен исправить ситуацию и вернуть Samsung на путь успеха. На презентации Samsung раскроет отличия SF3 и структуру транзисторов GAA, которые Samsung называет Multi Bridge Channel FETs (MBCFET).

По PPA (производительность/мощность/площадь) техпроцесс SF3 дает прирост производительности 22% (при прежнем энергопотреблении) или позволяет снизить энергопотребление до 66% раз при прежней производительности. По сравнению с SF4 новый техпроцесс занимает 79% площади.

Показан дизайн транзистора GAA, который мы все чаще будем видеть в подобной форме. Но на презентации Samsung указываются проблемы, которые могут возникнуть при производстве – например, повреждения нанолистов. Скорее всего, Samsung сейчас находится в процессе преодоления упомянутых проблем.

Мы подготовим новости с VLSI Symposium, когда PDF с презентациями будут опубликованы. Но темы на конференции будут весьма интересные.

Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).