Публикация программы Международной конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) раскрывает некоторые подробности о запланированных докладах. Первая информация о более быстрой GDDR7, которая также будет представлена на конференции, была как раз получена из этой предварительной публикации.
Другая презентация также вызывает большой интерес: "A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm² Areal Density and a 3.2Gb/s High-Speed IO Rate".
Как можно видеть, Samsung представит следующее поколение своей NAND с 280 слоями, которая может хранить четыре бита на ячейку памяти, как QLC, при этом плотность записи достигнет 28,5 Гбит/мм². Здесь корейский производитель опередит конкурентов Intel, Sk hynix, Kioxia и YMTC. И по количеству ячеек QLC Samsung станет новым лидером.
Плотность NAND
TLC, QLC и PLC
Значения 192L PLC от Intel и 300L+ TLC от Sk hynix официально не подтверждены. Некоторые данные получены непосредственно от производителей, также мы использовали источник ComputerBase.
Пропускная способность 3,2 Гбит/с памяти QLC с 280 слоями весьма хороша, то есть Samsung сможет занять лидирующие позиции не только по плотности, но и по скорости.
Большее количество слоев означает еще большую плотность хранения данных. В форм-факторах, используемых в центрах обработки данных, сегодня можно достичь 61,44 ТБ и более. Но техпроцессы совершенствуются, скорость записи QLC продолжает увеличиваться. Samsung обеспечит 3,2 Гбит/с для VNAND V9, так что корейский производитель находится на верном пути.
Samsung сообщит дополнительные подробности о NAND с 280 слоями на конференции ISSCC или в своей презентации.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).