В рамках конференции Samsung Foundry Forum (SFF) 2023 южнокорейский производитель обновил свои планы по грядущим техпроцессам. По всей видимости, Samsung пытается «отъесть» долю рынка по ускорителям ИИ от тайваньского конкурента TSMC. NVIDIA уже производит ускорители A100 и H100 на мощностях TSMC, HabanaLabs Gaudi 2 и почти все ускорители на ARM тоже изготавливаются TSMC. Поэтому Samsung пытается вклиниться.
Как считает Samsung, все изменится с 2-нм техпроцесса. Если верить директору подразделения Foundry в Samsung доктору Сиёнг Чой, компания смогла разработать весьма эффективный техпроцесс SF2 с транзисторами GAA (gate-all-around), первые чипы планируется произвести в 2025 году. Но изначально по SF2 можно будет изготавливать только маленькие чипы, например, SoC для смартфонов. Чипы для сегмента HPC запланированы на 2026 год. В 2027 году передовой техпроцесс Samsung сможет использовать подразделение по производству автомобильных чипов.
По сравнению с техпроцессом SF3 (3 нм), SF2 позволит увеличить производительность чипов на 12%, эффективность – на 25%, а также уменьшить площадь на 5%.
Кроме того, анонсирован техпроцесс SF1.4 (1,4 нм) на 2027 год. Под него будет выделена линия Pyeongtaek Fab Line 3 (P3), помимо прочих.
С 2025 года будет запущено производство 300-мм подложек с мощными транзисторами Gallium Nitride (GaN). Примерно на тот же период запланирован 5-нм техпроцесс RF, который обеспечит повышение эффективности на 40% и уменьшение площади на 50% по сравнению с 14-нм техпроцессом.
В целом, Samsung подтвердила предыдущие анонсы, что можно считать хорошей новостью, учитывая многочисленные проблемы SF3E. Интересно, каких клиентов Samsung сможет привлечь с техпроцессами SF2 и SF1.4.
Подписывайтесь на группу Hardwareluxx ВКонтакте и на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).